Samsung готовит новое поколение транзисторов GAA (Gate-all-Around) для своего 2-нанометрового техпроцесса SF2 и планирует внедрить их в производство уже в следующем году. Об этом со ссылкой на источники в отрасли сообщило южнокорейское издание Business Korea.
По данным издания, компания представит доклад о третьем поколении технологии GAA в рамках конференции VLSI Symposium 2024, которая пройдёт на Гавайях с 16 по 20 июня.
Что такое GAA и почему это важно
GAA — технология производства транзисторов, при которой затвор полностью окружает канал. С переходом на всё более тонкие техпроцессы контролировать движение тока в транзисторах становится сложнее, и такая архитектура позволяет повысить энергоэффективность чипа. Именно Samsung первой в мире вывела GAA на коммерческий уровень: исследования компания вела с начала 2000-х годов, а впервые применила технологию для 3-нм техпроцесса в 2022 году.
Сегодня Samsung остаётся единственным производителем, способным массово выпускать чипы по GAA-технологии. Однако с 3-нм техпроцессом всё пошло не так гладко: из-за мировой экономической нестабильности, высокой себестоимости производства и ограниченного круга клиентов (прежде всего в сегменте мобильных устройств) спрос оказался невелик. В итоге лидерство в выпуске 3-нм чипов перехватила тайваньская TSMC, которая пока использует более традиционные и дешёвые методы производства транзисторов.
Ставка на 2 нанометра
Чтобы отыграть позиции, Samsung готовит второе поколение GAA-транзисторов для 3-нм техпроцесса — его представят ещё в этом году. А в следующем году настанет черёд третьего поколения технологии, но уже для 2-нм техпроцесса. TSMC и Intel тоже планируют со временем перейти на GAA при освоении 2-нм норм, но сделают это позже Samsung — по крайней мере теоретически это даёт корейской компании фору.
Официальное название технологии GAA у Samsung — MBCFET. Первое поколение для 3-нм техпроцесса по сравнению с предыдущими FinFET-транзисторами дало прирост производительности на 23%, плотности — на 16%, а энергоэффективности — на 45%. От второго поколения для тех же 3 нм ожидают прироста производительности на 30%, плотности — на 35% и снижения энергопотребления на 50%. Третье поколение MBCFET для 2-нм техпроцесса, по прогнозам, обеспечит более чем 50-процентное повышение энергоэффективности по сравнению с предшественником.
Источник: 3DNews.